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EM6M2T2R

EM6M2T2R
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產(chǎn)品型號(hào) EM6M2T2R
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 200mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds25pF @ 10V
Power - Max150mW Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseSOT-563, SOT-666
Supplier Device PackageEMT6

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