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PJS6600_S1_00001

PJS6600_S1_00001
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產(chǎn)品型號 PJS6600_S1_00001
制造商 PANJIT
產(chǎn)品介紹 30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel Complementary FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Ta), 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 1.6A, 4.5V, 370mOhm @ 1.1A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds93pF @ 15V, 125pF @ 15V
Power - Max1.25W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseSOT-23-6
Supplier Device PackageSOT-23-6

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