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SQ1922EEH-T1_GE3

SQ1922EEH-T1_GE3
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產(chǎn)品型號 SQ1922EEH-T1_GE3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
Power - Max1.5W Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackageSC-70-6

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