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FDS8858CZ

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產(chǎn)品型號 FDS8858CZ
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET N/P-CH 30V 8.6/7.3A 8SOIC
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.6A, 7.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 8.6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1205pF @ 15V
Power - Max900mW Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

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