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FDC6401N

FDC6401N
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產(chǎn)品型號 FDC6401N
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 3A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds324pF @ 10V
Power - Max700mW Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device PackageSuperSOT?-6

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