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RFV10N50BE

RFV10N50BE
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產(chǎn)品型號(hào) RFV10N50BE
制造商 Texas Instruments
產(chǎn)品介紹 105000.48OHN-CHANNMOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET Type-
Technology- Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs- Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)- Operating Temperature-
Mounting Type- Supplier Device Package-
Package / Case-

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