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ICE60N330

ICE60N330
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產(chǎn)品型號 ICE60N330
制造商 IceMOS Technology
產(chǎn)品介紹 Superjunction MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs330mOhm @ 5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1250 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)95W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220
Package / CaseTO-220-3

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