5HN02N
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| 產(chǎn)品型號 | 5HN02N |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 產(chǎn)品介紹 | 5HN02 - N-CHANNEL SILICON MOSFET 我們努力為客戶提供 onsemi品牌的產(chǎn)品5HN02N 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Obsolete | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 100mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.86 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22 pF @ 10 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) | Operating Temperature | 150°C |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | 3-NP |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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