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MTD2N50E1

MTD2N50E1
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產(chǎn)品型號(hào) MTD2N50E1
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 TRANS MOSFET N-CH 500V 2A RAIL
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6Ohm @ 1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)40W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDPAK-3
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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