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MCH5815-TL-E

MCH5815-TL-E
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產(chǎn)品型號 MCH5815-TL-E
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 P-CHANNEL SILICON MOSFET & SCHOT
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.6 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160 pF @ 6 V FET FeatureSchottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max)800mW (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package5-MCPH
Package / Case5-SMD, Flat Leads

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