MCH5802-TL-E
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| 產品型號 | MCH5802-TL-E |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
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- 產品參數
- pdf參數資料
Product parameter
| Product Status | Obsolete | FET Type | P-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 500mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80 pF @ 10 V | FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 5-MCPH |
| Package / Case | 5-SMD, Flat Leads |
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