MCH6630-TL-E
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產(chǎn)品型號(hào) | MCH6630-TL-E |
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制造商 | onsemi |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Obsolete | FET Type | N-Channel |
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Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 700mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 350mA, 4V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 100μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 10 V | Vgs (Max) | 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30 pF @ 10 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) | Operating Temperature | 150°C |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 6-MCPH |
Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
MCH6630-TL-E 相關(guān)的關(guān)鍵詞
MCH6630-TL-E是一款高性能、可靠性強(qiáng)的單 FET、MOSFET
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