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MCH6630-TL-E

MCH6630-TL-E
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產(chǎn)品型號(hào) MCH6630-TL-E
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 N-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C700mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 350mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1 nC @ 10 V Vgs (Max)10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)800mW (Ta) Operating Temperature150°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package6-MCPH
Package / Case6-SMD, Flat Leads

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