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DI200N10D2

DI200N10D2
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產(chǎn)品型號 DI200N10D2
制造商 Diotec Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET, D2PAK, 100V, 200A, 175C
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 120A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs262 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16800 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)340W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-263AB
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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