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CSD16323Q3T

CSD16323Q3T
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產(chǎn)品型號 CSD16323Q3T
制造商 Texas Instruments
產(chǎn)品介紹 PROTOTYPE
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 105A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 24A, 8V Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.4 nC @ 4.5 V Vgs (Max)+10V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 12.5 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.8W (Ta), 74W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Package / Case8-PowerTDFN

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