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CSD18537NQ5A-P

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產(chǎn)品型號(hào) CSD18537NQ5A-P
制造商 Texas Instruments
產(chǎn)品介紹 PROTOTYPE
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 54A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 12A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1480 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.2W (Ta), 75W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-VSON (5x6)
Package / Case8-PowerTDFN

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