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CSD13202Q2T

CSD13202Q2T
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產(chǎn)品型號 CSD13202Q2T
制造商 Texas Instruments
產(chǎn)品介紹 PROTOTYPE
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14.4A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.3mOhm @ 5A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.6 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds997 pF @ 6 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.7W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package6-WSON (2x2)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad

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