CSD13202Q2T
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產(chǎn)品型號 | CSD13202Q2T |
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制造商 | Texas Instruments |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.4A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 5A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±8V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 997 pF @ 6 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 2.7W (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 6-WSON (2x2) |
Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
CSD13202Q2T 相關(guān)的關(guān)鍵詞
CSD13202Q2T是一款高性能、可靠性強(qiáng)的單 FET、MOSFET
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