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NP32N055SLE-E1-AZ

NP32N055SLE-E1-AZ
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產(chǎn)品型號(hào) NP32N055SLE-E1-AZ
制造商 Renesas Electronics Corporatio
產(chǎn)品介紹 NP32N055 - POWER FIELD-EFFECT TR
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.2W (Ta), 66W (Tc) Operating Temperature175°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-252 (MP-3ZK)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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