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NTTFS6H888NTAG

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產(chǎn)品型號 NTTFS6H888NTAG
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 T8 80V U8FL
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.7A (Ta), 12A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 15μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220 pF @ 40 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.9W (Ta), 18W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-WDFN (3.3x3.3)
Package / Case8-PowerWDFN

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