FCB36N60NTM
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產品型號 | FCB36N60NTM |
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制造商 | onsemi |
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- 產品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
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Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 18A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 112 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4785 pF @ 100 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 312W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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