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FCB36N60NTM

FCB36N60NTM
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產品型號 FCB36N60NTM
制造商 onsemi
產品介紹 POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPREMO
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 18A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs112 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4785 pF @ 100 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)312W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageD2PAK (TO-263)
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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