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FDPF16N50

FDPF16N50
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產(chǎn)品型號 FDPF16N50
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1945 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)38.5W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220F-3
Package / CaseTO-220-3 Full Pack

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