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FDG327N

FDG327N
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產(chǎn)品型號 FDG327N
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 20
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds423 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)420mW (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSC-88 (SC-70-6)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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