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IPC90N04S53R6ATMA1

IPC90N04S53R6ATMA1
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產(chǎn)品型號(hào) IPC90N04S53R6ATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET_(20V,40V)
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6mOhm @ 45A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.4V @ 23μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32.6 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1950 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)63W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TDSON-8-34
Package / Case8-PowerTDFN

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