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FDD7N25LZTM

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產(chǎn)品型號(hào) FDD7N25LZTM
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.2A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 3.1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds635 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)56W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-252AA
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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