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NTMFS4C06NBT1G

NTMFS4C06NBT1G
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產(chǎn)品型號 NTMFS4C06NBT1G
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 NTMFS4C06 - NFET SO8FL 30V 69A 4
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 69A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1683 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.55W (Ta), 30.5W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads

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