PSMN7R8-120PSQ
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產(chǎn)品型號 | PSMN7R8-120PSQ |
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制造商 | Nexperia |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 25A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9473 pF @ 60 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 349W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | I2PAK |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
PSMN7R8-120PSQ 相關(guān)的關(guān)鍵詞
PSMN7R8-120PSQ是一款高性能、可靠性強(qiáng)的單 FET、MOSFET
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