FQPF9N25C
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| 產(chǎn)品型號 | FQPF9N25C |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.4A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 25 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
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FQPF9N25C是一款高性能、可靠性強(qiáng)的單 FET、MOSFET
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