NTMFS5C645NLT1G
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產(chǎn)品型號 | NTMFS5C645NLT1G |
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制造商 | onsemi |
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Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 100A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 50A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 50 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 79W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
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NTMFS5C645NLT1G是一款高性能、可靠性強(qiáng)的單 FET、MOSFET
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