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NTHL080N120SC1

NTHL080N120SC1
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產(chǎn)品型號 NTHL080N120SC1
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 SILICON CARBIDE MOSFET, N-CHANNE
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 20A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 20 V Vgs (Max)+25V, -15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1670 pF @ 800 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)348W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-3
Package / CaseTO-247-3

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