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FDI045N10A-F102

FDI045N10A-F102
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產(chǎn)品型號(hào) FDI045N10A-F102
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品介紹 N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs74 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5270 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)263W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageI2PAK (TO-262)
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

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