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FQPF30N06L

FQPF30N06L
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產(chǎn)品型號(hào) FQPF30N06L
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品介紹 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22.5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 11.3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 5 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1040 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)38W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220F-3
Package / CaseTO-220-3 Full Pack

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