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FDP86363_F085

FDP86363_F085
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產(chǎn)品型號 FDP86363_F085
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品介紹 110A, 80V, 0.0028OHM, N-CHANNEL
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 80A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10000 pF @ 40 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)300W (Tj) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220-3
Package / CaseTO-220-3

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