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FDP12N60NZ

FDP12N60NZ
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產(chǎn)品型號 FDP12N60NZ
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品介紹 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs650mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1676 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)240W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220-3
Package / CaseTO-220-3

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