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FDMS86320

FDMS86320
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產(chǎn)品型號 FDMS86320
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品介紹 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.5A (Ta), 22A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.7mOhm @ 10.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2640 pF @ 40 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 69W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-PQFN (5x6)
Package / Case8-PowerTDFN

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