RFD3055LE
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產(chǎn)品型號 | RFD3055LE |
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制造商 | Fairchild Semiconductor |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
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Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 107mOhm @ 8A, 5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±16V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | I-PAK |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
RFD3055LE 相關(guān)的關(guān)鍵詞
RFD3055LE是一款高性能、可靠性強(qiáng)的單 FET、MOSFET
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