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RFD3055LE

RFD3055LE
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產(chǎn)品型號 RFD3055LE
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品介紹 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs107mOhm @ 8A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.3 nC @ 10 V Vgs (Max)±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)38W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageI-PAK
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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