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CXDM3069N BK

CXDM3069N BK
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產(chǎn)品型號 CXDM3069N BK
制造商 Central Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.9A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V Vgs (Max)12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds580 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.2W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-89
Package / CaseTO-243AA

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