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TSM3N80CH C5G

TSM3N80CH C5G
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產(chǎn)品型號 TSM3N80CH C5G
制造商 Taiwan Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO251
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds696 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)94W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-251 (IPAK)
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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