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GA05JT12-247

GA05JT12-247
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產(chǎn)品型號 GA05JT12-247
制造商 GeneSiC Semiconductor
產(chǎn)品介紹 TRANS SJT 1200V 5A TO247AB
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Product parameter

Product StatusObsolete FET Type-
TechnologySiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 5A Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)106W (Tc) Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247AB
Package / CaseTO-247-3

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