GA05JT12-263
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產(chǎn)品型號 | GA05JT12-263 |
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制造商 | GeneSiC Semiconductor |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Obsolete | FET Type | - |
---|---|---|---|
Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Vgs (Max) | - |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 106W (Tc) | Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-263-7 |
Package / Case | TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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