2N7635-GA
GeneSiC Semiconductor圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號 | 2N7635-GA |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 產(chǎn)品介紹 | TRANS SJT 650V 4A TO257 我們努力為客戶提供 GeneSiC Semiconductor品牌的產(chǎn)品2N7635-GA 最有競爭力的供應鏈服務，請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Obsolete | FET Type | - |
|---|---|---|---|
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) (165°C) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415mOhm @ 4A | Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 324 pF @ 35 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-257 |
| Package / Case | TO-257-3 |
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