IRF7759L2TR1PBF
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產(chǎn)品型號 | IRF7759L2TR1PBF |
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制造商 | Infineon Technologies |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Obsolete | FET Type | N-Channel |
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Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Ta), 375A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 96A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12222 pF @ 25 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | DirectFET? Isometric L8 |
Package / Case | DirectFET? Isometric L8 |
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