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3LP01S-TL-E

3LP01S-TL-E
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產(chǎn)品型號 3LP01S-TL-E
制造商 Sanyo
產(chǎn)品介紹 P-CHANNEL SILICON MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.4Ohm @ 50mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.43 nC @ 10 V Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7500 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)150mW (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSMCP
Package / CaseSC-75, SOT-416

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