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P3M173K0F3

P3M173K0F3
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產(chǎn)品型號(hào) P3M173K0F3
制造商 PN Junction Semiconductor
產(chǎn)品介紹 SICFET N-CH 1700V 1.97A TO-220F-
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.97A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6Ohm @ 0.25A, 15V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 1.5mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)+19V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)19W Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220F-2L
Package / CaseTO-220F-2

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