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P3M06300K3

P3M06300K3
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產(chǎn)品型號 P3M06300K3
制造商 PN Junction Semiconductor
產(chǎn)品介紹 SICFET N-CH 650V 9A TO-247-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 4.5A, 15V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 5mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs904 nC @ 15 V Vgs (Max)+20V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds338 pF @ 400 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)38W Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-3L
Package / CaseTO-247-3

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