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GT035N10Q

GT035N10Q
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產品型號 GT035N10Q
制造商 Goford Semiconductor
產品介紹 MOSFET N-CH 100V 190A TO-247
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C190A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6516 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)277W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247
Package / CaseTO-247-3

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