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GT100N04K

GT100N04K
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產(chǎn)品型號(hào) GT100N04K
制造商 Goford Semiconductor
產(chǎn)品介紹 N40V,50A,RD<10M@10V,VTH1.2V~2.2V
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds644 pF @ 20 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)80W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-252
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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