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G69F

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產(chǎn)品型號(hào) G69F
制造商 Goford Semiconductor
產(chǎn)品介紹 P-12V,-16A,RD(MAX)<18M@-4.5V,VTH
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2700 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)18W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package6-DFN (2x2)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad

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