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G08N02H

G08N02H
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產(chǎn)品型號 G08N02H
制造商 Goford Semiconductor
產(chǎn)品介紹 N20V, 12A, RD<11.3M@4.5V,VTH0.5V
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.3mOhm @ 1A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.5 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1255 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.7W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-223
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

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