G06N02H
Goford Semiconductor圖片僅供參考。
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| 產品型號 | G06N02H |
|---|---|
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 產品介紹 | N20V, 6A, RD<14.3M@4.5V,VTH0.5V~ 我們努力為客戶提供 Goford Semiconductor品牌的產品G06N02H 最有競爭力的供應鏈服務，請登錄我們官網 www.r8uu.com了解產品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.3mOhm @ 3A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1140 pF @ 10 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-223 |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
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