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GA50JT06-258

GA50JT06-258
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產(chǎn)品型號 GA50JT06-258
制造商 GeneSiC Semiconductor
產(chǎn)品介紹 TRANS SJT 600V 100A TO258
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Product parameter

Product StatusActive FET Type-
TechnologySiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 50A Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)769W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-258
Package / CaseTO-258-3, TO-258AA

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