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GA10SICP12-263

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產(chǎn)品型號 GA10SICP12-263
制造商 GeneSiC Semiconductor
產(chǎn)品介紹 TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
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Product parameter

Product StatusActive FET Type-
TechnologySiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 10A Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1403 pF @ 800 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)170W (Tc) Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-263-7
Package / CaseTO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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